AgGaSe2 (セレン化銀ガリウム) – レーザー結晶 – 非線形結晶 – カスタマイズ製品
AgGaSe 2 (セレン化銀ガリウム結晶) は、AGSe 結晶と呼ばれ、カルコパイライト構造と 4 ～ 2 m 点群を持つ I-III-Ⅵ 2族三元化合物半導体です。0.73～21μmの赤外光を透過し、大きな非線形係数（d 36 =43×10 -12 ）をもつ優れた中・遠赤外非線形光学材料です。m/V)、適切な複屈折、3 ～ 18 μm の範囲の第 2 高調波に対する位相整合、中赤外レーザー周波数 2 倍化に効果的な結晶材料であり、三波非線形相互作用 (OPO) の優れた特性も備えています。 ) 中赤外レーザーの増倍に有効な結晶材料であり、三波非線形相互作用 (OPO) に対して優れた特性を持っています。使用可能な波長帯は0.9～16μmです。2.5〜12μmのOPO同調光源は、AgGaSe2結晶をHo:YLF 2.05μmでポンピングすることによって得られます。1.9 ～ 5.5 μm の同調光源は、1.4 ～ 1.55 μm の同調光源でポンピングされた非臨界位相整合 OPO によって出力されます。
特徴
広い透過範囲: 0.73 ～ 18 μm
低光吸収、低散乱
中赤外域で最大 17 μm のアプリケーション波長
NIR および MIR での非線形相互作用に対する高い FOM (品質係数)
中赤外レーザーの高周波効率倍増
各均一点の周囲の領域で最大 10% の効率の光学狭帯域フィルタリングを備えた固体レーザー用の調整可能な OPO
注記：
10,000円は内金であり、商品の最終価格ではございません。 必要な場合は価格をお問い合わせください。
物理化学的性質
| 化学式 | アガセ2 |
| 結晶構造 | 正方晶系 |
| 格子定数 | a=5.9920Å、c=10.8803Å |
| 光学的対称性 | 一軸ネガティブ (n o > ne，λ<804 nm n e >n o ) |
| 密度 | 5.7g/ cm3 |
| モース硬度 | 3-3.5 |
| 透過範囲 | 0.71～19μm |
| セルマイヤー方程式 @T=293 K(λ 単位 μm) | ｎｏ２＝６．８５０７＋０．４２９７／（λ ２－０．１５８４）－０．００１２５λ ２； |
| n e 2 =6.6792+0.4598/(λ 2 -0.2122)-0.00126λ 2 | |
| 屈折率@10.5μm | n o =2.5917、n e = 2.5585 |
| 熱伝導率 @T=293 K | 1 (||c) Wm -1 K -1 , 1,1 (⊥c) Wm -1 K -1 |
| ダメージ閾値 | >10MW/cm 2 @10.6μm、150ns |
| 融点 | 851℃ |
| バンドギャップ | 1.83eV |
| クロック乗数 | 午後33時/V |
| 複屈折 | 0.0246@1.06μm |
| 0.0317@5.3μm | |
| 0.0332@10.6μm |
処理パラメータ
| 方向精度 | <±0.1° |
| 表面仕上げ | MIL-O-13830A に従って 30/20 |
| 顔の形 | λ/8@632.8nm（T>=1mmの場合） |
| 明確な表面公差 | +0/-0.1mm |
| 長さの許容差 | ±0.1mm |
| 平行度 | 30インチ |
| 直角度 | 10分 |
| ベベル | <0.2mm×45° |
スペクトラム
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